Кремниевые транзисторы

Прибор	Характеристики	Информация
Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т3160А-2 Уточнить цену	Кремниевый эпитаксиально-планарный импульсный бескорпусный n-p-n транзистор 2Т3160А-2 предназначен для применения в составе специальных гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры. Обозначение технических условий - аАО.339.591 ТУ. Бескорпусное исполнение.Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125 С.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор "2Т3117А" Уточнить цену	Импульсный высокочастотный n-p-n транзистор предназначен для использования в оперативных и постоянных запоминающих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Обозначение технических условий - аАО.339.256 ТУ. Корпусное исполнение - металлический корпус КТ1-7 (ТО-18). Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125С	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Кремниевый биполярный транзистор 2Т672А-2 Уточнить цену	Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные бескорпусные n-p-n транзисторы "2Т672А-2" предназначены для применения в составе специальных гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - аАО.339.592 ТУ. Корпусное исполнение - бескорпусное исполнение.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Кремниевый биполярный транзистор 2Т652А-2 Уточнить цену	Бескорпусные транзисторы 2Т652А-2 предназначены для применения в составе специальных гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - аАО.339.304 ТУ. Корпусное исполнение - металлокерамический корпус КТЮ-27-3.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Кремниевый биполярный транзистор 2Т649А-2 Уточнить цену	Кремниевые эпитаксиально-планарные СВЧ - генераторные n-p-n бескорпусные транзисторы "2Т649А-2" предназначены для применения в режимах усиления мощности, генерации, ограничения мощности и преобразования частоты в составе специальных гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Кремниевый биполярный транзистор 2Т637А-2 Уточнить цену	Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор "2Т637А-2" предназначен для применения в режимах усиления мощности, генерации, ограничения мощности и преобразования частоты в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Кремниевый биполярный транзистор 2Т633А Уточнить цену	Кремниевый эпитаксиально-планарный быстродействующий импульсный n-p-n транзистор "2Т633А" в металлическом корпусе с изоляторами, предназначенный для работы в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - аАО.339.007ТУ. Корпусное исполнение - металлический корпус КТ2-7 (TO-39).	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Кремниевый биполярный транзистор 2Т624АМ-2 Уточнить цену	Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы 2Т624АМ-2 предназначены для применения в системах памяти ЭВМ в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Кремниевый биполярный транзистор 2Т610Б Уточнить цену	Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор "2Т610Б" в металлическом корпусе. Предназначен для использования в аппаратуре связи и других радиотехнических устройствах специального применения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - Я53.365.009 ТУ. Корпусное исполнение - металлический корпус КТ-16-2.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Кремниевый биполярный составной n-p-n транзистор 2ТД543А9 Уточнить цену	Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный составной n-р-n транзистор Дарлингтона "2ТД543А9" предназначен для использования в специализированных усилителях с большим коэффициентом усиления, электронных коммутационных устройствах, преобразовательной аппаратуре специального назначения.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание

Кремниевые транзисторы

Страницы