8(800)350-90-48
zakaz.skidkosnab@gmail.com
С ПН по ПТ: с 9-00 до 18-00 (МСК)

Кремниевые транзисторы

Прибор Характеристики Информация
Кремниевый высоковольтный транзистор 2Т847А-5/ИМ Кремниевый высоковольтный транзистор 2Т847А-5/ИМ фото 1 Уточнить цену

Бескорпусные кремниевые планарные высоковольтные мощные N-P-N транзисторы 2Т847А-5/ИМ, поставляемые на общей пластине (неразделенными) предназначены для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах (ГС), микросборках, блоках, а также для сборки дискретных приборов, обеспечивающих защиту транзисторов от воздействия света, влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, агресс
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание
Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор КТ939А1 Нет фото Уточнить цену

Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор "КТ939А1" в металлическом корпусе, предназначен для использования в схемах с повышенными требованиями к нелинейным искажениям в аппаратуре специального назначения.
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание
Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор КТ939А Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор КТ939А фото 1 Уточнить цену

Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор "КТ939А" в металлическом корпусе предназначен для использования в схемах с повышенными требованиями к нелинейным искажениям в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 125 С. Обозначение технических условий: аАО.339.150ТУ. Корпусное исполнение - корпус КТ-16-2.
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание
Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т928В Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т928В фото 1 Уточнить цену

Импульсный высокочастотный n-p-n транзистор 2Т928В предназначен для использования в быстродействующих импульсных схемах, в цепях вычислительных машин, в схемах генерирования электрических колебаний, а также другой радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 125 С. Обозначение технических условий: Я53.365.034ТУ.
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание
Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т916А Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т916А фото 1 Уточнить цену

Сверхвысокочастотный эпитаксиально-планарный мощный транзистор "2Т916А" в металлическом корпусе предназначен для использования в усилительных схемах, автогенераторах и другой аппаратуре специального назначения.

Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 125 С. Обозначение технических условий: аАО.339.136ТУ. Корпусное исполнение - корпус КТ-16-2.
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание
Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т913В Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т913В фото 1 Уточнить цену

Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор «2Т913В» в металлическом корпусе предназначен для использования в усилителях мощности, умножителях частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре специального применения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 125 С.
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание
Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т913А Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т913А фото 1 Уточнить цену

Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор «2Т913А» в металлическом корпусе. Предназначен для использования в усилителях мощности, умножителях частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре специального применения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 125 С.
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание
Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т652А Нет фото Уточнить цену

Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n переключающий транзистор "2Т652А" в металлокерамическом корпусе, предназначенный для использования в аппаратуре специального назначения.

Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - аАО.339.304 ТУ.

Корпусное исполнение - металлокерамический корпус КТЮ-27-3.
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание
Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т635А Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т635А фото 1 Уточнить цену

Кремниевый эпитаксиально-планарный быстродействующий переключающий n-p-n транзистор "2Т635А" в металлическом корпусе с изоляторами, предназначенный для работы в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - аАО.339.051 ТУ. Корпусное исполнение - металлический корпус КТ2-7 (TO-39).
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание
Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т634А-2 Нет фото Уточнить цену

Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т634А-2 предназначен для применения только в схеме с общей базой на частотах от 1 до 5 ГГц в генераторах, преобразователях и усилителях мощности в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С.
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание

Страницы