Кремниевые транзисторы

Прибор	Характеристики	Информация
Переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор 2Т845А/ИМ Уточнить цену	Кремниевый планарный переключательный мощный n-р-n транзистор "2Т845А/ИМ" в металлостеклянном корпусе предназначен для использования в схемах вторичных источников электропитания, высоковольтных ключевых схемах, а также других узлах и блоках аппаратуры специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до 125 С.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор 2Т839А/ИМ Уточнить цену	Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор 2Т839А/ИМ предназначен для использования в схемах вторичных источников электропитания, высоковольтных ключевых схемах, а также других узлах и блоках аппаратуры специального назначения.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор 2П525А9 Уточнить цену	Транзистор 2П525А9 кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, с обогащенным n-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, предназначенный для использования в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения. Категория качества ВП.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор 2П525А-5 Уточнить цену	Транзистор "2П525А-5" кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, с обогащенным n-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, предназначенный для использования в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения. Категория качества ВП. Корпусное исполнение: кристаллы на общей пластине.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор 2П524А9 Уточнить цену	Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор 2П524А9 с изолированным затвором, с обогащенным n-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, предназначенный для использования в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения. Категория качества ВП. Корпусное исполнение: корпус КТ-99-1 ГОСТ 18472.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т928А Уточнить цену	Импульсный высокочастотный n-p-n транзистор 2Т928А предназначен для использования в быстродействующих импульсных схемах, в цепях вычислительных машин, в схемах генерирования электрических колебаний, а также другой радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т913Б Уточнить цену	Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор 2Т913Б в металлическом корпусе предназначен для использования в усилителях мощности, умножителях частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре специального применения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 125 С.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Кремниевый эпитаксиально 2П7172А Уточнить цену	Транзистор 2П7172А кремниевый эпитаксиально – планарный полевой с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом предназначен для использования в специализированных устройствах типа источников вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Кремниевый транзистор 2П524А-5 Уточнить цену	Кремниевый транзистор 2П524А-5 с изолированным затвором, с обогащенным n-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, предназначенный для использования в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения. Категория качества ВП.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание
Кремниевый полевой транзистор 2П7209А Уточнить цену	Транзистор «2П7209А» кремниевый эпитаксиально–планарный полевой с изолированным затвором, обогащением p-канала и встроенным обратносмещенным диодом предназначен для использования в специализированных устройствах типа источников вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения.	Цена: по запросу Документация: Техническое описание

Кремниевые транзисторы

Страницы