Кремниевые транзисторы

Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор "2Т610А" в металлическом корпусе. Предназначен для использования в аппаратуре связи и других радиотехнических устройствах специального применения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - Я53.365.009 ТУ. Корпусное исполнение - металлический корпус КТ-16-2.

Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы "2Т384АМ-2" предназначены для применения в системах памяти ЭВМ в составе гибридных интегральных микросхем, блоков аппаратуры, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления.

Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n импульсные высокочастотные бескорпусные транзисторы 2Т378Г-5, 2Т378Д-5, 2Т378Е-5 поставляемые на общей пластине (неразделенные), предназначены для применения в усилительных устройствах с низким уровнем шумов и генераторах. Обозначение технических условий - ХА3.365.012 ТУ. Бескорпусное исполнение (кристаллы на общей пластине).

Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n бескорпусные высокочастотные транзисторы 2Т331В-5, поставляемые на общей пластине (неразделенными), предназначенные для применения в усилительных устройствах с низким уровнем шумов и генераторах, в составе интегральных микросхем, блоков и аппаратуры специального назначения. Обозначение технических условий - ХМО.336.003 ТУ.