8(800)350-90-48
zakaz.skidkosnab@gmail.com
С ПН по ПТ: с 9-00 до 18-00 (МСК)

Кремниевые транзисторы

Прибор Характеристики Информация
Транзистор КТ315Г1 Транзистор КТ315Г1 фото 1 Уточнить цену

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ315Г1 предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание
Транзистор КТ315Б1 Транзистор КТ315Б1 фото 1 Уточнить цену

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ315Б1 предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание
Транзистор КТ315А1 Транзистор КТ315А1 фото 1 Уточнить цену

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ315А1 предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание
Транзистор КТ3153А9 Транзистор КТ3153А9 фото 1 Уточнить цену

Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор КТ3153А9 малой мощности предназначен для использования в радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание
Транзистор КТ3142А Транзистор КТ3142А фото 1 Уточнить цену

Кремниевый эпитаксиально-планарный высокочастотный транзистор КТ3142А малой мощности предназначен для генерирования, усиления, преобразований колебаний высокой частоты, а также для работы в аппаратуре широкого применения.
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание
Транзистор КТ3130Ж9 Транзистор КТ3130Ж9 фото 1 Уточнить цену

Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор КТ3130Ж9 предназначен для использования в низкочастотных устройствах радиоэлектронной аппаратуры с малым уровнем шумов, изготавливаемой для народного хозяйства.
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание
Транзистор КТ3130Д9 Транзистор КТ3130Д9 фото 1 Уточнить цену

Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор КТ3130А9 предназначен для использования в низкочастотных устройствах радиоэлектронной аппаратуры с малым уровнем шумов, изготавливаемой для народного хозяйства.
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание
Транзистор КТ3130Г9 Транзистор КТ3130Г9 фото 1 Уточнить цену

Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор КТ3130А9 предназначен для использования в низкочастотных устройствах радиоэлектронной аппаратуры с малым уровнем шумов, изготавливаемой для народного хозяйства.
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание
Транзистор КТ3130В9 Транзистор КТ3130В9 фото 1 Уточнить цену

Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор КТ3130В9 предназначен для использования в низкочастотных устройствах радиоэлектронной аппаратуры с малым уровнем шумов, изготавливаемой для народного хозяйства.
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание
Транзистор КТ3130Б9 Транзистор КТ3130Б9 фото 1 Уточнить цену

Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор КТ3130Б9 предназначен для использования в низкочастотных устройствах радиоэлектронной аппаратуры с малым уровнем шумов, изготавливаемой для народного хозяйства.
Цена: по запросу
Документация: Техническое описание

Страницы