Кремниевые транзисторы
Прибор | Характеристики | Информация |
---|---|---|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ361Б2 предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ361А3 предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ361А2 предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор КТ3189В9 малой мощности предназначен для использования в усилителях, генераторах, преобразователях частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор КТ3189Б9 малой мощности предназначен для использования в усилителях, генераторах, преобразователях частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор КТ3189А9 малой мощности предназначен для использования в усилителях, генераторах, преобразователях частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ315И1 предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ315Ж1 предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ315Е1 предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ315Д1 предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- 18
- …
- следующая ›
- последняя »