Кремниевые транзисторы
Прибор | Характеристики | Информация |
---|---|---|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ817Г предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ817В9 предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ817В предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ817Б9 предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ817Б предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ817А9 предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ8177В p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в усилителях и переключательных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ8176А n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в усилителях и переключательных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный КТ8170А1 предназначен для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ816Г9 предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »